[비욘드포스트 강기성 기자] 삼성전자가 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행해 2021년 하반기 양산을 시작하겠다는 계획을 1일 밝혔다.

약 8조원 규모에 해당하며 AI, IoT, 자율주행, 5G 등 4차산업 혁명에 소요되는 고용량 메모리를 양산하기 위함이다.

동시에 삼성전자는 시스템반도체 분야에 대한 투자도 속도를 내는 투트랙 전략을 보이고 있다.

1일 업계에 따르면 삼성전자 평택 신규 라인에서는 100단 이상의 6세대 V낸드가 양산될 것으로 추정된다. 향후 기술 개발 로드맵에 따라 차세대 제품이 양산될 가능성도 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있으며 평택 V낸드 전용라인에 6세대 기반 SSD 라인업을 확대하고 있다.

삼성전자는 세계 낸드 시장 점유율에서 작년 기준 36%를 기록하며 압도적인 기술력을 유지하고 있다.

삼성은 미중 무역 분쟁사이에 낀 상황에서도 데이터센터 등 4차산업 혁명을 통한 내년 하반기 메모리 시황에 대한 자신감을 보이고 있다.

신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 확산에 따른 비대면 서버 메모리 수요 증가도 이번 투자 결정을 부추긴 것으로 보인다.

최근 5세대 이동통신(5G) 보급에 따라 데이터 사용량이 늘어났고, 비대면 경제 활성화로 이러한 추세는 가속할 전망이다.

시장조사업체 IDC에 따르면 전 세계 데이터 총량은 2016년 16ZB(1조기가바이트) 수준에서 2025년 163ZB로 10배 이상 증가할 것으로 예상됐다.

한편 이번 낸드플래시 평택라인 발표는 지난달 평택 파운드리 구축 계획을 발표한지 열흘 만이라는 점에서 시스템반도체와 메모리반도체 투 트랙 투자라는 면모를 보인다.

파운드리 신규라인은 시스템반도체 2030 달성을 위한 널직한 걸음의 통큰 투자라면 이번 낸드플래시 투자는 메모리 반도체에서 초격차를 유지하겠다는 의도를 가진 투자인 셈이다.

삼성은 시스템반도체 분야에서도 파운드리 라인의 확대로 업계 1위인 TSMC를 뒤쫓고 있다. 업계에서는 삼성전자가 올 1분기 글로벌 파운드리 시장에서 점유율 15.9%를 차지할 것이라는 전망이다.

삼성전자는 초미세공정인 EUV 기술에서는 TSMC와 어깨를 나란이 하고 있다. 삼성은 빠른 시장 점유율 확대를 위해 고객사 확보에 총력을 다하고 있다. .평택에서 7나노이하 EUV 초미세공정 기술이 담긴 제품을 양산하게 된다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경속에서도 메모리 초격자를 더욱 굳히기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에; 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT 산업 성장에 기여할 것”이라고 밝혔다.

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