삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 이 자리에서 삼성전자는 2027년 1.4나노 공정을 도입할 것임을 소개했다. 사진은 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에서 파운드리사업부장 최시영 사장이 발표를 하고 있는 모습. (사진 = 삼성전자 제공)
[비욘드포스트 한장희 기자] 삼성전자가 또 다시 초격차를 예고하며 파운드리 시장에서도 주도권을 잡겠다는 의지를 내비쳤다.
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 이 자리에서 삼성전자는 2027년 1.4나노 공정을 도입할 것임을 소개했다.
3년 만에 오프라인으로 개최된 올해 삼성 파운드리 포럼에는 팹리스 고객·협력사·파트너 등 500여 명이 참석한 가운데 진행됐다.
삼성전자는 △파운드리 기술 혁신 △응용처별 최적 공정 제공 △고객 맞춤형 서비스 △안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 밝혔다.
삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유”라면서 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다.
이를 위해 삼성전자는 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술 개발에 박차를 가하고 있다.
삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고, 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했다. 이러한 양산 노하우를 기반으로 3나노 응용처를 확대하고 있다.
또 삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.
삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D·3D 이종 집적 패키징 기술 개발도 가속화한다.
특히, 삼성전자는 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다.
삼성전자는 2015년 고대역폭 메모리 HBM2의 성공적인 출시를 시작으로 2018년 I-Cube(2.5D), 2020년 X-Cube(3D) 등 패키징 적층 기술 혁신을 지속해 나가고 있다.
I-Cube는 실리콘 인터포저 위에 로직과 HBM을 배치하는 2.5D 패키지 기술이며, X-Cube는 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층하는 3D 패키지 기술이다.
삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022'를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 이 자리에서 삼성전자는 2027년 1.4나노 공정을 도입할 것임을 소개했다. 사진은 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에 참가한 참석자들의 모습. (사진 = 삼성전자 제공)