중국, '반도체 굴기' 가속화하며 최첨단 D램 이어 고대역폭메모리(HBM) 마저 양산 준비
[비욘드포스트 이성구 전문위원] 중국이 최첨단 반도체 장비인 극자외선(EUV) 장비를 개발하는 데 15년이 필요하다는 평가가 나왔다.
독일 자이스그룹의 반도체총괄부문은 2일(현지시간) 블룸버그TV와의 인터뷰에서 "중국이 극자외선(EUV) 장비를 개발하려면 15년은 걸릴 것"이라고 말했다. 사진=블룸버그통신
2일(현지시간) 블룸버그TV에 따르면 반도체 장비의 핵심 공급업체인 독일 자이스그룹의 프랑크 로문트반도체부문 총괄은 인터뷰에서 이같이 평가하고 "다만 중국의 발전 정도를 수치화하기는 어렵다"고 말했다.
'반도체 굴기'에 총력을 기울이고 있는 중국은 D램 제조업체인 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 첨단 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 소량 생산하고 있으며 내년에 생산을 확대할 계획인 것으로 전해졌다. CXMT는 지난 달 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화하고 샤오미 최신 휴대전화에 이를 공급한다고 발표했다.
중국의 반도체 개발 속도가 가속화됨에 따라 미국은 중국이 첨단 인공지능(AI) 기술을 확보하는 것을 막기 위해 총력을 기울이고 있다.
미국은 첨단 반도체 생산에 필수적인 네덜란드 ASML의 EUV 노광장비를 중국에 수출하지 못하도록 통제하고 있다.
ASML은 EUV 노광장비를 생산하는 전 세계 유일한 업체로 2017년 자이스 반도체 부문 지분 10억유로(약 1조5천700억원)를 인수했다. 자이스는 EUV 노광장비에 들어가는 광학 부품을 독점 공급한다.
이에 맞서 중국은 자생력을 갖추기 위해 반도체 장비 개발에 엄청난 돈을 쏟아붓고 있다.
로문트 총괄의 이러한 진단에 앞서 투자은행 UBS 분석가들도 "중국이 자체 EUV 기술을 개발하는 데 최소한 10년 뒤져있다"는 보고서를 이번 주 내놨다.
중국은 EUV 이전 세대인 심자외선(DUV) 노광장비를 ASML로부터 공급받고 있는데, 미국은 DUV 노광장비 가운데 최신 모델에 대해서도 수출 허가를 받기를 요구하고 있다.
로문트는 이러한 미국의 수출 규제 확대가 자사 사업에 나쁜 영향을 미칠 것이라면서 "수출 제한이 오히려 중국 내 기술 혁신을 빠르게 할 것"이라고 우려했다.
실제 상하이에 있는 한 중국 기업이 지난 7월 DUV 노광장비를 제조하고 있다는 보도가 나오기도 했다.
로문트는 "이는 놀라운 일이 아니며 중국 장비가 실제 어느 정도 성능을 가졌는지 지켜봐야 한다"면서 "여전히 우리가 앞서 있다"고 덧붙였다.